Оперативная память

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 18T, тайминги 18-18-18-43, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.5 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-20-20, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-96, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 8000 МГц, CL 38T, тайминги 38-48-48-128, напряжение 1.45 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

одноканальный (1 модуль), частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.35 В