Найдено 703 товара
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11T, микросхемы 3D TLC NAND
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11T, микросхемы 3D TLC NAND
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 6000/5000 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 6000/5000 МБайт/с
1 ТБ, mSATA, SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 552/491 МБайт/с, случайный доступ: 84253/57700 IOps
1 ТБ, mSATA, SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 552/491 МБайт/с, случайный доступ: 84253/57700 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps
2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps
256 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Realtek RTS5766DL, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1000 MBps, случайный доступ: 90000/130000 IOps
256 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Realtek RTS5766DL, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1000 MBps, случайный доступ: 90000/130000 IOps
7.68 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/4200 МБайт/с, случайный доступ: 1100000/220000 IOps
7.68 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/4200 МБайт/с, случайный доступ: 1100000/220000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7200/4300 МБайт/с, случайный доступ: 330000/290000 IOps, совместимость с PS5
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7200/4300 МБайт/с, случайный доступ: 330000/290000 IOps, совместимость с PS5
M.2, SATA 3.0, контроллер ASolid AS2258, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 MBps, случайный доступ: 83000/69000 IOps
M.2, SATA 3.0, контроллер ASolid AS2258, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 MBps, случайный доступ: 83000/69000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2262, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3350/2800 МБайт/с, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2262, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3350/2800 МБайт/с, DRAM-буфер
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2018/1309 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2018/1309 MBps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 2200/1300 МБайт/с
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 2200/1300 МБайт/с
1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 5.0 x4 (U.3), микросхемы TLC
1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 5.0 x4 (U.3), микросхемы TLC
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 530/495 MBps
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 530/495 MBps
M.2, PCI Express 3.1 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3210/1315 MBps, случайный доступ: 205000/265000 IOps
M.2, PCI Express 3.1 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3210/1315 MBps, случайный доступ: 205000/265000 IOps
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5013-E13T, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/1100 МБайт/с
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5013-E13T, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/1100 МБайт/с
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6900/5000 МБайт/с, случайный доступ: 800000/800000 IOps, SLC-кэш
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6900/5000 МБайт/с, случайный доступ: 800000/800000 IOps, SLC-кэш
500 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259XT, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 550/500 MBps
500 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259XT, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 550/500 MBps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6400 МБайт/с, случайный доступ: 730000/980000 IOps, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6400 МБайт/с, случайный доступ: 730000/980000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 MBps, случайный доступ: 38000/75000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 MBps, случайный доступ: 38000/75000 IOps