SSD

256 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/1200 MBps, случайный доступ: 210000/315000 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3300 МБайт/с, случайный доступ: 620000/560000 IOps, DRAM-буфер

7.68 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/4200 МБайт/с, случайный доступ: 1100000/220000 IOps

240 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/31000 IOps

1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Innogrit IG5220, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4900/4600 MBps

2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/450 MBps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 4900/4400 МБайт/с, случайный доступ: 550000/500000 IOps

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps, случайный доступ: 40000/75000 IOps

256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps

1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2200 MBps

M.2, PCI Express 3.0 x8, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1000 MBps, случайный доступ: 200250/206100 IOps

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 1500/1200 МБайт/с

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/480000 IOps

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2400/1700 МБайт/с, случайный доступ: 76400/96200 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5021-E21T, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 5000/4200 МБайт/с, случайный доступ: 680000/880000 IOps

7.68 ТБ, 2.5", SAS 3, микросхемы TLC

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3476/3137 МБайт/с

1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 94000/78000 IOps

7.68 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 86000/30000 IOps

960 ГБ, 2.5", SAS 3